AM暴涨大涨二内存硬盘超60继续全线季度DR

AM暴涨大涨二内存硬盘超60继续全线季度DR
预估整体一般型DRAM合约价格将季增58-63%。内存北美CSP对AI推理需求明确 ,硬盘二季度DRAM暴涨超60%" src="https://img1.mydrivers.com/img/20260402/s_bc994fbd6091418680979bd5d8073ec3.jpg" />

继续季度合约价持续走升。全线部分消费级产品的大涨存储器成本已高于售价,

NAND Flash市场则持续由AI和数据中心需求主导,暴涨但大厂退出供给导致供不应求局面未见缓解  。内存预计第二季整体合约价格将季增70-75% 。硬盘满足率较低的继续季度PC OEM不得不加价采购。大容量RDIMM采购强劲,全线但Mobile DRAM拉货力道暂不致大幅收缩 ,大涨AI算力军备竞赛白热化带来的暴涨产能排挤效应 ,二季度DRAM暴涨超60%" src="https://img1.mydrivers.com/img/20260402/S8ce3f82a-3a97-4bed-be6e-91879aba9a5d.jpg" />

其中PC DRAM虽面临整机需求下修,内存

智能手机品牌因成本压力累积不排除调整生产计划 ,硬盘

Enterprise SSD订单增长未见放缓,继续季度全产品线连锁涨价效应不减,

Server DRAM成为原厂获利最高的品类,

NAND Flash方面,2026年第二季度存储市场将继续面临全面涨价。供给缺口居全产品线之冠。AI Server需求强劲,但原厂同步缩减供货量,

据TrendForce最新报告 ,2026年将明显缺货,

eMMC/UFS因与Enterprise SSD制程重叠但利润远低于后者 ,存储价格全面上涨的趋势在2026年内预计难以逆转  。获得优先产能分配,

内存硬盘继续全线大涨
!</p><p align=内存硬盘继续全线大涨�!</p><p style=Graphics DRAM和Consumer DRAM同样受产能不足影响  ,原厂积极将产能转向HBM和Server应用 ,原厂通过制程升级和调升QLC比例提高产出的增幅有限 ,新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出 。短期内供给维持紧缩  。

整体来看 ,PC和手机厂商被迫缩减产品容量以抑制需求量 。正在从高端HBM向全存储产品线传导 ,并采用补涨策略拉近各类产品价差 ,

DRAM方面 ,

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